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【图文导读】图一、独立共格界面的双相α/β-Si3N4陶瓷的显微结构 图二、独立具有不同比例相干界面的多晶Si3N4纳米柱的力学行为图三、Si3N4样品在高压压缩过程中的相含量变化图四、原位TEM揭示代表性的β→α相变图五、密度泛函理论计算证明β→α相变【结论展望】研究表明，键切换是金属位错运动和相变的先决条件，也可以通过设计相干界面在共价键合陶瓷中实现。因此，公司实现共价键合结晶陶瓷的塑性变形能力一直是一项长期而关键的挑战。这些特性使陶瓷适用于电子封装中的高温结构材料、试验售电死切削工具、轴承和基板等应用

然而，田陷陶瓷往往是易碎的，因此即使是微小的裂纹也可能导致灾难性的失效，而不会出现明显的塑性变形，严重限制了陶瓷的适用性。在通过共格界面的键切换，窘境决生有助于应力诱导相变，并最终产生塑性变形能力。

因此，独立实现共价键合结晶陶瓷的塑性变形能力一直是一项长期而关键的挑战。

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